Wafer Debonding
8英寸晶圆级无损去硅
8英寸晶圆级可控剥离，实现大面积完整转移，良率>95%，为化合物半导体与硅基IC的后续晶圆级键合建立量产基础。
8英寸晶圆级平台
>95%工艺良率
量产级大面积完整转移
TECHNOLOGY / 01
HETEROGENEOUS 3D INTEGRATION异质异构3D集成 · 全栈工艺
工艺即基建。汉骅以异质异构3D集成为核心，辅以全栈氮化镓外延能力，为后摩尔时代提供全新融合型制造底座。
Full Stack 3DIC
异质异构3D集成
晶圆级混合键合，打通数模集成最后一公里。点击工艺环节，查看从晶圆到规模量产的关键能力。
3D Bonding
常温混合键合与三维堆叠
常温混合键合，对准精度<500nm，兼容TSV工艺，支持化合物半导体、MEMS、铌酸锂等多材料体系。
<500nm对准精度
TSV工艺兼容
3D多材料堆叠
Open PDK
与CMOS设计流程无缝对接
开放设计规则文件（DRC/LVS）、版图模板和仿真模型，并建设全球首个8英寸CMOS兼容Micro-LED PDK，降低异质集成设计与验证门槛。
DRC / LVS设计规则验证
Layout版图模板
Simulation仿真模型
One-stop Foundry
从原型验证到规模量产
统一覆盖外延来料 → 去硅 → 键合 → 封装 → 测试，支持原型验证、小批试产和规模量产的一站式协同。
Prototype原型验证
Pilot小批试产
Mass规模量产
Full Stack GaN
全栈氮化镓外延 · 支撑能力
定义性能天花板，为3D集成提供高品质材料基底。
- 光电外延：全色硅基GaN Micro-LED，支撑AR/VR、数字车灯、光互连等场景。
- 功率外延：高效能源转换，支撑AI电源、数据中心PSU、机器人驱动等场景。
高品质外延材料，是异质集成的坚实基底。
让异质集成方案快速规模落地
从PDK、工艺模块到一站式代工，与汉骅共同验证下一代芯片。