WAFER LEVEL / HETEROGENEOUS INTEGRATION / SUZHOU CN

化合物半导体 × 集成电路

异质异构3D集成后摩尔时代的芯片融合新范式

将化合物半导体、MEMS、光子芯片等异质材料,通过原子级工艺与硅基IC三维融合,打破摩尔定律物理极限。为AI基础设施,提供中国原创、全球领先的异质集成工艺平台。

探索芯范式
平台能力 / 01—03 异质异构3D集成 | 无损去硅 · 常温键合 · TSV通孔 · 三维堆叠
Beyond Moore

Beyond Moore

超越摩尔

摩尔定律触达物理极限,算力需求依旧指数攀升。

超越摩尔:打破材料藩篱,三维异质融合。 ——后摩尔时代的芯片协同新路径。

汉骅定位:后摩尔时代核心异质异构集成工艺平台,专注于数模异质3D集成,助力万亿级终端市场。我们为客户提供“造芯”的基础设施,而非终端产品。

汉骅:国内首个开放8英寸“化合物+IC”异质异构3D集成全栈工艺平台

Core Moat

Core Technology

核心壁垒

以异质异构3D集成为核心,以氮化镓外延为支撑,形成从工艺、PDK到量产代工的开放制造底座。

STACK 01

异质异构3D集成 · 全栈

晶圆级混合键合,打通数模集成最后一公里,以异质集成定义后摩尔时代半导体新范式

  • 无损去硅
    8英寸晶圆级可控剥离与大面积完整转移,工艺良率>95%。
  • 三维堆叠
    常温混合键合,对准精度<200nm,TSV兼容,支持化合物、MEMS、铌酸锂等异质材料。
  • 开放PDK
    提供DRC/LVS设计规则、版图模板与仿真模型,对接CMOS设计流程。
  • 一站式代工
    外延生长 → 前工艺处理 → 混合键合 → 无损去硅 → 器件测试,覆盖原型、小批试产与规模量产,服务国内90%以上design house。

全栈异质异构3D集成,兼容化合物、MEMS、铌酸锂等材料,让异质集成方案快速规模落地。

STACK 02

氮化镓外延 · 支撑能力

光电 / 功率

氮化镓外延工艺示意
  • 光电外延
    全色硅基GaN Micro-LED,支撑AR/VR、数字车灯、光互连等场景。
  • 功率外延
    高效能源转换,支撑AI电源、数据中心PSU、机器人驱动等场景。

高品质外延材料,是异质集成的坚实基底。

Enable All

Enable Everything

赋能万物

硬科技平台不押注单一赛道,而是成为所有赛道的共同起点。汉骅提供底层制造工艺与 PDK,不生产终端产品。

01

AI基础设施

光互连/CPO、AI电源管理、数据中心PSU与边缘计算节点。

02

具身智能与机器人

人形机器人、机器人关节、协作机器人与服务机器人。

03

空间计算与交互

AR/VR近眼显示、数字车灯、全息显示与空间计算。

04

通信与基础设施

5G-A/6G基站、无线充电基础设施与卫星通信/商业航天。

05

智慧出行

车载HUD、激光雷达、OBC/DCDC与智能座舱显示。

06

工业与能源

工业电机驱动、光伏逆变器与工业射频加热。

07

医疗与健康

医疗内窥镜、生物传感与可穿戴健康设备。

基础设施的价值,在于它能承载多大的世界。汉骅——芯基础设施。

The Law

Infrastructure Law

基础设施定律

每一次基础设施的跃迁,都重塑产业格局。今天,汉骅正在定义“化合物半导体 × 集成电路”的融合范式。

定义下一个时代基础设施的企业, 终将矗立创新之巅。

Open System

Open Ecosystem

生态开放

最强大的基础设施,开放是唯一准则。汉骅开放PDK、工艺模块、代工服务。任何设计公司、系统厂商、科研机构,皆可在此平台上构建异质集成芯片。

01

PDK即服务

开放DRC/LVS、版图模板、验证工具与仿真模型。

02

代工即服务

外延来料、去硅、键合、封装、测试的完整量产流程。

03

联合开发

器件结构协同设计、阵列与电路联合优化,从原型到量产阶梯合作。

Foundation

The Foundation

基石

从500平米实验室到苏州20000平米量产线,八年专注融合。

20000 m²苏州量产基地
9000 m²洁净室面积

国内首条晶圆级“化合物+IC”异质集成量产线。使命:让融合发生,让后摩尔时代的新基建不受限。

苏州异质集成量产基地 基地图片预留 / IMAGE PLACEHOLDER

共同构建下一代芯基础设施

开放PDK、工艺模块与代工能力,连接设计与量产。