异质异构3D集成 · 全栈
晶圆级混合键合,打通数模集成最后一公里,以异质集成定义后摩尔时代半导体新范式
- 无损去硅
8英寸晶圆级可控剥离与大面积完整转移,工艺良率>95%。 - 三维堆叠
常温混合键合,对准精度<200nm,TSV兼容,支持化合物、MEMS、铌酸锂等异质材料。 - 开放PDK
提供DRC/LVS设计规则、版图模板与仿真模型,对接CMOS设计流程。 - 一站式代工
外延生长 → 前工艺处理 → 混合键合 → 无损去硅 → 器件测试,覆盖原型、小批试产与规模量产,服务国内90%以上design house。
全栈异质异构3D集成,兼容化合物、MEMS、铌酸锂等材料,让异质集成方案快速规模落地。
