使命
让融合发生，让后摩尔时代的新基建不受限。
ABOUT / 04
THE FOUNDATION基石
从500平方米实验室到苏州20000平方米量产基地，持续建设后摩尔时代的芯片基础设施。
Company
苏州汉骅半导体
苏州汉骅半导体成立于2017年，是全球异质异构3D混合集成技术引领者，拥有国内唯一的开放8英寸“化合物+IC”混合集成工艺平台。
我们定位为后摩尔时代的核心异质集成工艺制造商，不制造任何终端产品，专注于为异质集成芯片提供底层制造基础设施。
大尺寸化合物半导体 × 晶圆级3D异质混合集成。
Suzhou Base
晶圆级异质集成量产基地
国内首条晶圆级化合物+IC异质集成量产线，承接从原型、小批试产到量产导入的全流程需求。
20000 m²苏州量产基地
9000 m²洁净室面积
8英寸化合物+IC混合集成工艺平台
Mission & Qualification
使命与资质
以制造平台的长期主义，支撑设计公司、系统厂商和科研机构持续创新。
定位
后摩尔时代核心异质集成工艺制造商与开放制造平台。
资质
国家高新技术企业、国家级专精特新“小巨人”。
愿景
以中国原创的工艺能力服务全球芯片创新。
OUR MILESTONES
发展里程碑
从前瞻布局到制造平台，记录汉骅每一步关键进展。
2025车规认证，研发再布局+
已完成历程
车规认证，研发再布局
- 通过IATF 16949车规体系认证。
- 上海研发中心成立。
20248英寸平台，融合工艺贯通+
已完成历程
8英寸平台，融合工艺贯通
- 建成国内领先的8英寸MOCVD氮化镓材料生长平台。
- 国内首条8英寸3DIC常温异质混合集成芯片产线通线，兼容集成电路、化合物半导体与微机电系统（MEMS）技术。
- 多款8英寸硅基氮化镓功率外延、Micro-LED外延产品通过下游性能验证，领先行业标准并进入国际主流产线。
- 国内首款8英寸硅对硅混合键合微LED红光芯片成功点亮。
2023研发拓展，量产能力进阶+
已完成历程
研发拓展，量产能力进阶
- 设立新加坡研发中心，8英寸异质集成MEMS量产产线顺利通线。
- 发布全世界最小的2微米、超过4k PPI Micro-LED微显示芯片。
- 发布常温3DIC混合集成MEMS工艺。
- 完成30—900V硅基氮化镓功率外延产品发布，获得国内外客户流片验证认可并开始量产导入。
2022工艺突破，启动产线规划+
已完成历程
工艺突破，启动产线规划
- 启动6、8英寸异质集成MEMS/uLED量产产线建设规划。
- 独创的常温异质集成Hybrid bonding技术完成研发阶段，开始服务Micro-LED微显示领域，完成5微米uLED DEMO。
- 9月完成数亿元B轮融资，为后续产线扩充及稳定运营奠定基础。
2021战略并购，制造基地成形+
已完成历程
战略并购，制造基地成形
- 按照扩展计划，完成对原台湾LD集团苏州全资子公司的战略并购，通过改造整合建成国内最大的氮化镓独立外延产线。
- 拥有20000平方米厂区、5000平方米百级/千级洁净空间，以及支持大型半导体外延、芯片和封装产线的配套设施。
- 完成首轮超亿元人民币市场募资。“拨投结合”创新模式被列入国家发展改革委、科技部《2021年度全面创新改革任务清单》，在全国范围内推广。
- 成为国内最大的独立氮化镓高端外延制造商。
2017前瞻布局，汉骅成立+
已完成历程
前瞻布局，汉骅成立
- 2017年11月13日，汉骅成立。
- 作为我国首次以“拨投结合”创新模式支持的前瞻性、颠覆性、引领性硬科技重大项目，前瞻布局异质异构集成、光电互联与新型显示。
LOOKING AHEAD
未来规划
以下为未来规划，具体进度以公司正式披露为准。
2026—2027规划中
面向下一阶段的芯片基础设施
- 规划推动国内首条8英寸晶圆级常温3DIC异质异构集成量产产线通线。
- 规划发布全球首个8英寸全色MLED硅光整合开放式“PDK”标准工艺平台。
- 持续推进功率半导体、元宇宙显示等核心芯片及材料的研发与量产布局，面向人工智能时代的应用需求。
- 规划建设集集团总部、先进研发与大型生产于一体的三期半导体基地。
- 推进科创板上市计划。
与汉骅共同构建下一代芯基础设施
sales@hanhuasemi.com · 0512-65922628 · 苏州工业园区