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汉骅特色产品

8英寸硅基氮化镓外延；

6-8英寸蓝宝石基氮化镓外延

基于GaN的HEMT技术，具有高转换效率、低导通损耗等优势，是汉骅的主要产业领域之一。

汉骅产品覆盖射频开关、高低压快充，已进入主流产线应用于快充、无线充电、手机射频开关、新能源汽车充电、音响功放、IDC、储能、数据中心等30V-1200V领域，

4/6 英寸蓝宝石基氮化镓RGB 显示外延产品；
8 英寸硅基氮化镓RGB 显示外延产品

汉骅拥有完整的Micro-LED IDM产线，其中 RGB全色氮化镓外延，其中红光氮化镓的内量子效率稳定的超过了12%，在国际属于第一梯队的产品。

1. 汉骅特色3DIC常温异质集成Micro-LED微显示芯片

目前这是世界公认可以实现高像素、小型化的显示方式，2023年成功点亮当时全世界最小的, pixel to pixel2微米、像素4K的微显示芯片，这个产品主要应用于微显示虚拟与现实领域。

2. 混合集成Hybrid Bonding MEMS芯片

产品针对AR/VR，元宇宙光学引擎硬件，像元尺寸2-10微米

采用最新的hybrid bonding技术，常温异质集成化合物半导体和CMOS驱动芯片，兼容集成电路工艺，构成全新的3DIC芯片子阵单元，再同背板通过TSV工艺连接

可采用三色垂直堆叠，最大可能的提高CMOS驱动的利用率，支持4-8寸工艺

同光学部件，诸如微镜阵列、光波导（屏）等的工艺耦合度高。

独特的异质/同质晶圆混合集成MEMS芯片技术，实现集成电路IC工艺与生命科学MEMS芯片工艺的常温兼容。

具有小型化、高集成度、高精度、高自动化的技术优势，大幅缩短检测时间，提高检测准确度。

拥有独立大型生产线，确保研发后快速实现芯片大规模量产。

半导体MEMS工艺及特色工艺委托研发/生产

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联系方式

电话：0512-65922628

Email：sales@hanhuasemi.com

布局：苏州上海香港德国新加坡

地址：江苏省苏州工业园区长阳街259号中新-钟园工业园B0-1F西侧

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汉骅半导体2017年由长三角国创中心与苏州工业园区作为基石投资人，与创始团队共同发起，是我国首次采用“拨投结合”创新方式支持前瞻性、颠覆性的重大研发项目，是具备国际顶尖水准的高端化合物半导体闭环研发与大型生产基地，也是目前国内已建成的产能最大的独立氮化镓外延供应商。

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苏州汉骅半导体有限公司