关于汉骅

企业文化

“创新、开放、合作、共赢”

持续创新，持续开放的交流合作，与产业链的伙伴们实现共赢，是汉骅多年持之以恒的企业文化和方向。

我们的社区我们重视团队和互助高于一切！而我们的教练会很乐意帮助你的健康生长在不同的类！

2017年

由长三角国创中心、苏州工业园区与创始团队共同发起成立。汉骅是我国首次以拨投结合的创新模式，支持的前瞻性、颠覆性、引领性的硬科技重大项目。
2018年

汉骅第一期高端氮化镓中试线的建成并投入使用。
2019年

汉骅开始扩建二期大型生产基地。通过ISO9001的质量控制体系认证，实现研发转量产的重要里程碑。
2020年

汉骅持续迭代创新产品，逐渐形成了以氮化镓外延技术为核心，应用功率、显示等主流方向的全尺寸产品布局，用组合拳的方式，为未来长远发展奠定基础。多款外延产品流片成功，证实性能稳定达到国际领先水平。

企业大事记

汉骅发展历程

2021年

按照扩展计划，顺利完成对原台湾LD集团苏州全资子公司的战略并购，通过改造整合，以最快的速度，最低的成本，建成了国内目前最大的氮化镓独立外延产线，拥有20000平方米的厂区，5000平方米的百级/千级洁净空间，可支持大型半导体外延、芯片和封装产线的所有半导体配套设施。汉骅完成了首轮市场募资，金额超亿元人民币。《拨投结合》的创新模式被列入了国家发展改革委员会、科技部《2021年度全面创新改革任务清单》，在全国范围内开始推广。
2022年

汉骅启动6、8英寸异质集成MEMS/uLED量产产线的建设规划，独创的常温异质集成Hybrid bonding技术研发阶段完成，开始服务于Micro-LED微显示领域，完成5微米uLED DEMO。 9月，汉骅完成了数亿元B轮融资，为后续产线扩充及稳定运营奠定坚实基础。
2023年

设立新加坡研发中心， 8英寸异质集成MEMS量产产线顺利通线发布了全世界最小的2微米超过4k PPI Micro-LED微显示芯片发布了常温3DIC混合集成MEMS工艺完成了30-900V硅基氮化镓功率外延产品发布，受到国内外客户流片验证认可并开始量产导入。
2024年

国内领先的8英寸MOCVD氮化镓材料生长平台顺利建成国内首条8英寸3DIC常温异质混合集成芯片产线通线，兼容集成电路技术、化合物半导体技术与微机电系统(MEMS)技术多款8英寸硅基氮化镓功率外延、8英寸硅基氮化镓Micro-LED外延，经过下游性能验证，领先行业标准，进入国际主流产线国内首款8英寸硅对硅混合键合微LED红光芯片的成功点亮

2025年-2027年

大力推进功率半导体、元宇宙显示等未来时代核心芯片及材料的研发及量产，迎接人工智能时代的来临。建设三期集团总部、先进研发、大型生产为一体的国际领先半导体基地。完成科创板上市。