具有国际领先地位的先进半导体优质供方
• 汉骅半导体2017年由长三角国创中心与苏州工业园区作为基石投资人,与创始
团队共同发起,是我国首次采用“拨投结合”创新方式支持的前瞻性、颠覆性的
重大研发项目。
• 目前,在苏州工业园区核心区域已建成约20000平方米厂区、年产能约30万片
4/6/8英寸兼容高端氮化镓材料产线,及8英寸3DIC Hybrid Bonding芯片产线,是
具备国际领先水准的高端半导体闭环研发与大型生产基地,也是目前国
内已建成的产能最大的独立氮化镓外延供应商。
• 汉骅目前已经申请国内外专利约100项,获批40余项。自成立至今先后获评国
家级专精特新小巨人、国家高新技术企业、国家级潜在独角兽、江苏省双创团队、
姑苏重大创新团队、苏州工业园区重大领军等殊荣。

企业简介
 企业文化
“创新、开放、合作、共赢”。
持续创新,持续开放的交流合作,与产业链的伙伴们实现共赢,是汉骅多年持之以恒的企业文化和方向。

我们的社区 我们重视团队和互助高于一切!而我们的教练会很乐意帮助你的健康生长在不同的类!
  • 2017年
    由长三角国创中心、苏州工业园区与创始团队共同发起成立。汉骅是我国首次以拨投结合的创新模式,支持的前瞻性、颠覆性、引领性的硬科技重大项目。
  • 2018年
    汉骅第一期高端氮化镓中试线的建成并投入使用。
  • 2019年
    汉骅开始扩建二期大型生产基地。 通过ISO9001的质量控制体系认证,实现研发转量产的重要里程碑。
  • 2020年
    汉骅持续迭代创新产品,逐渐形成了以氮化镓外延技术为核心,应用功率、显示等主流方向的全尺寸产品布局,用组合拳的方式,为未来长远发展奠定基础。 多款外延产品流片成功,证实性能稳定达到国际领先水平。
企业大事记
企业大事记
汉骅发展历程
  • 2021年
    按照扩展计划,顺利完成对原台湾LD集团苏州全资子公司的战略并购,通过改造整合,以最快的速度,最低的成本,建成了国内目前最大的氮化镓独立外延产线,拥有20000平方米的厂区,5000平方米的百级/千级洁净空间,可支持大型半导体外延、芯片和封装产线的所有半导体配套设施。 汉骅完成了首轮市场募资,金额超亿元人民币。《拨投结合》的创新模式被列入了国家发展改革委员会、科技部《2021年度全面创新改革任务清单》,在全国范围内开始推广。
  • 2022年
    汉骅启动6、8英寸异质集成MEMS/uLED量产产线的建设规划,独创的常温异质集成Hybrid bonding技术研发阶段完成,开始服务于Micro-LED微显示领域,完成5微米uLED DEMO。 9月,汉骅完成了数亿元B轮融资,为后续产线扩充及稳定运营奠定坚实基础。
  • 2023年
    设立新加坡研发中心, 8英寸异质集成MEMS量产产线顺利通线 发布了全世界最小的2微米超过4k PPI Micro-LED微显示芯片 发布了常温3DIC混合集成MEMS工艺 完成了30-900V硅基氮化镓功率外延产品发布,受到国内外客户流片验证认可并开始量产导入。
  • 2025年
    将新增30台MOCVD,将完成20万片8英寸晶圆产能的建设。